紫外光电子能谱仪 配置包括：真空系统，UPS紫外光电子能谱，XPS光电子能谱，IPES（LEIPS）反光电子能谱，样品观察及操控系统，Ar离子枪，双束中和系统，光电子探测器，能量传输透镜，能量分析器等。 工作条件 1.1电力供应：200~230V，单相电，50A，50~60Hz； 1.2工作温度：18℃ ~ 23℃； 1.3工作湿度：< 70%； 1.4磁场：静态 <50μT,交变 <0.84μT ； 1.5安装条件：设备接地线电阻 ＜ 100欧姆； 1.6仪器运行的持久性：仪器可连续用。 技术要求 真空系统 2.1.1 分析室真空系统: 分析室采用独立的高抽速的离子泵/分子泵和钛升华泵组合； 2.1.2 分析腔室最佳真空度≤6.7×10-8 Pa （烘烤后）。 UPS紫外光电子能谱 2.2.1 光源直径：≤0.8mm, 可以进行UPS深度剖析； *2.2.2 灵敏度和能量分辨率： He I 灵敏度@Ag 4d优于1Mcps；能量分辨率优于110 meV； 2.2.3 光源滤光器：用于过滤 UV 光, 对于需要降低灯强度的应用 (例：敏感的有机样品), 需使灯的强度降低到3%； 2.2.4 完全由计算机控制可自动灯点火和气体输送； 2.2.5 具备真空差分抽气系统。 IPES（LEIPS）反光电子能谱 2.3.1 电子源能量：≤5 eV； 2.3.2 最大测量电子亲和能（Electron Affinity）: ≤4.88eV； *2.3.3 能量分辨率： ≤0.45eV( 标准多晶银样品)； 2.3.4 探测器：近紫外带通，光电倍增器； 2.3.5 带通窗口：光学滤波器（电介质）；基本配置包括两个光学滤光器 254 nm + 300 nm (4.88 eV) 和 260 nm (4.79 eV) 带通滤波器。过滤器在真空腔室之外,方便调节。 XPS光电子能谱 2.4.1 Al Kα单色化X射线源，X射线源可聚焦及动态扫描； 2.4.2 可采用扫描X射线激发的二次电子获取样品的表面形貌成像（二次电子像即SXI像）进行微区无误差定位分析；获得SXI成像的时间≤10秒； *2.4.3 最小获谱束斑≤10μm，无光阑遮挡，X射线功率小于1.3W，可采谱，成像和深度剖析； 2.4.4 X射线聚焦束斑直径：10μm ~ 400μm连续可调，调节步长≤2μm...

可进行有机、无机、金属等各种材料的表面介个原子层的化学组成、价态、深度剖析及成像、能带特性的分析与表征； a. 普通XPS: 对表面（≤10nm）元素组成及化学态的定性及半定量分析； b. 离子刻蚀：通过离子溅射剥离测试区域最外层，对样品进行逐层分析； c. XPS成像：对样品进行微区分析，获得微区元素的分布情况； d. XPS角分辨：改变收集电子的发射角度，可探测到不同深度的电子，提供超薄膜的组分信息，与溅射深度剖析不同，ARXPS为非破坏性分析技术； e. 紫外光电子能谱：通过测量价层电子的能量分布从中获得有关价电子结构的各种信息，包括材料的价带谱、逸出功等；

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